Хагас дамжуулагчийн даралтын даралтыг хоёр ангилал болгон хувааж, нэг нь спемингуктор ПН-ийн үзүүрт суурилсан зарчимд суурилдаг. Энэхүү даралт мэдрэмтгий элемент нь маш тогтворгүй бөгөөд маш их хөгжөөгүй. Нөгөө нь хагас дамжуулагчийн зураглал дээр суурилсан мэдрэгч нь хагас дамжуулагчийн даралт мэдрэгч юм. ӨДӨР, ХУГАЦААНЫ ӨДӨР, ХУГАЦААНЫ ХУГАЦААНЫ ТӨЛӨВЛӨГӨӨГИЙН ГАГАГИЙН ХӨГЖҮҮЛЭХ БОЛОМЖТОЙ БОЛОМЖТОЙ БОЛОМЖТОЙ БОЛОМЖТОЙ. 1960-аад онд хагас дамжуулагч бодис, Piezoressicutive Elimes-ийн Хоолойногийн технологи, хагас дамжуулагч хөрслэлтэй, хагас дамжуулагч репризийн хөрс, хагас дамжуулагч хөрслэлтэй, хагас дамжуулагч репризийн даралтын даралт гарч ирэв. Энэ төрлийн даралт мэдрэгч нь энгийн бөгөөд найдвартай бүтэцтэй, харьцангуй хөдөлгөөнгүй хэсгүүд, мэдрэгчийн мэдрэмж, мэдрэгчийн мэдрэмж, уян хатан элемент бөгөөд энэ нь механик хоцролтыг механик, уян харимхай, уян хатан элемент бөгөөд мэдрэгчтэй, уян хатан чанар бөгөөд мэдрэгчтэй, мэдрэгчээс зайлсхийх, мэдрэгчээс зайлсхийдэг бөгөөд мэдрэгчийн үржил шимтэй, уян хатан чанарыг сайжруулдаг бөгөөд энэ нь механик хоцролтыг арилгах, мэдрэгчийн гүйцэтгэлийг сайжруулж, мэдрэгчийн гүйцэтгэлийг сайжруулдаг бөгөөд тэдгээрийг механик, уян хатан чанар бөгөөд тэдгээрийг механик, мэдрэмжээс зайлсхийх бөгөөд мэдрэгчийн гарал үүсэл, мэдрэгчийн гүйцэтгэлээс зайлсхийдэг.

Хагас дамжуулагчийн хагас дамжуулагчийн бялууны үр нөлөө нь гадны хүчтэй холбоотой шинж чанартай холбоотой шинж чанартай байдаг. Стрессийн үйл ажиллагааны эсрэг эсэргүүцэлтэй харьцуулахад харьцангуй өөрчлөлтийг тэмдэглэгээ гэж нэрлэдэг Piezoresistive коэффициент гэж нэрлэдэг. Математикийн хувьд ρ / ρ = π σ.

Σ σ нь стрессийг илэрхийлдэг. The change of resistance value (R/R) caused by semiconductor resistance under stress is mainly determined by the change of resistivity, so the expression of piezoresistive effect can also be written as R/R=πσ.

Гадаад хүчний үйл ажиллагааны дагуу тодорхой стресс (σ) ба омог нь хагас дамжуулагч талстуудаас үүсдэг, тэдгээрийн хоорондох алдааны модуль (y) нь залуучуудын модуль (y) -ийг тодорхойлдог бөгөөд энэ нь Материалын модуль (y) -ийг бүрдүүлдэг бөгөөд энэ нь залуучуудын модуль (y) -ийг үүсгэдэг.

Хэрэв Piezoresistive-ийн үр дүн нь хагас дамжуулагч дээр омог байгааг илэрхийлж байвал энэ нь r / r = g = gε.

G нь нэгжийн омогын харьцангуй өөрчлөлтийг илэрхийлсэн даралтын мэдрэгчийн мэдрэмжийг илэрхийлдэг.

Piezoresistive коэффициент эсвэл мэдрэмтгий хүчин зүйл бол хагас дамжуулагчийн физик физик параметр юм. Тэдгээрийн хоорондын харилцаа, стресс, омогтой ижил төстэй байдал, омог, омог нь материалын залуу модулийг тодорхойлдог бөгөөд энэ нь = = π y юм.

Хагас дамжуулагч талстууд нь уян хатан, Залуучуудын модульт, Залуу модуль, Борын модулийн чиглэлээр Козорестрик ба Пойзоресистик коэффициенттэй холбоотой. Хагас дамжуулагч Piezoresistive Eff нь хагас дамжуулагчийн тэсвэртэй байдалтай нягт холбоотой байдаг. Эсэргүүцлийн бууралт нь бага зэргийн мэдрэмжийн хүчин зүйл юм. Сарниулах чадварын эсрэг эффект нь сармагчингийн чиг баримжаа, тархсан эсэргүүцлийг тогтоосон. Хоригдлын концентрац нь ихэвчлэн тархалтын гадаргуугийн гадаргуугийн концентрацийг илэрхийлдэг.